摘 要： 半導(dǎo)體的性能和可靠性與器件的封裝形式密切相關(guān)，而引線鍵合工藝無疑是其中重要且容易出現(xiàn)失效的一環(huán)，其失效大約占總失效的1/3。因此，對(duì)引線鍵合工藝的深入理解對(duì)器件封裝至關(guān)重要。本文全面深入地闡述了引線鍵合工藝，包括引線鍵合的多種工藝方法、引線鍵合的技術(shù)原理與特點(diǎn)、引線鍵合的打線方式、引線鍵合的實(shí)際應(yīng)用以及引線鍵合常見的失效形式等。本文對(duì)引線鍵合的綜合性論述工作對(duì)器件封裝的設(shè)計(jì)和制造有著重要的啟引作用。

關(guān)鍵詞： 封裝；鍵合機(jī)理；鍵合工藝；鍵合材料；打線形式；鍵合失效  

Research on Power Device Wire Bonding Technology: A Review

NS Technical Literature of the Third Gen-Semiconductor Project Team

Abstract  The performance and reliability of semiconductors are closely related to the packaging form of devices, and the wire bonding process is undoubtedly an important part and is prone to failure, which the wire bonding failures account for about 1/3 of the total failures. Therefore, an deep understanding of the lead bonding process is very important for device packaging. This article comprehensively elaborates on the wire bonding process, including the various techniques, the technical principles and characteristics, the bonding methods, and the practical applications and the common failure modes of wire bonding. It is believed that the comprehensive exposition of the wire bonding in this article has an important inspiration for device packaging.

Keywords  packaging；bonding mechanism；bonding process；bonding materials；bonding forms；bonding failure

接上一篇....

3 引線鍵合的工藝特點(diǎn)

3.1  球形鍵合與楔形鍵合

根據(jù)焊點(diǎn)的形狀不同，我們將引線鍵合的形式劃分成球形鍵合與楔形鍵合，一般先在芯片表面形成第一個(gè)焊點(diǎn)，并在穩(wěn)定之后將引線拉動(dòng)以形成線弧，最后在引線框架或基板上形成第二個(gè)焊點(diǎn)。

球形鍵合，顧名思義就是將焊線通過高溫熔化成球，以一定的形狀與大小壓在焊盤上，通過超聲能量或者熱壓力將球壓扁，達(dá)到塑性變形后與焊盤上的金屬材料完成界面間的擴(kuò)散，在鍵合過程中主要以熱壓超聲鍵合方式為主。

楔形鍵合，一般通過超聲能量進(jìn)行焊接，超聲能量使引線變形，再施加壓力，從而形成楔形焊點(diǎn)，拉伸形成線弧后，在第二焊點(diǎn)進(jìn)行相同操作，切斷線尾，完成鍵合，在鍵合過程中主要以超聲鍵合方式為主。

管狀劈刀一般應(yīng)用在球形鍵合，材料為陶瓷，多用于線徑較小的金線與銅線；楔形劈刀則應(yīng)用在楔形鍵合，材料為鎢鋼或鈦鋼，常用于線徑為3mil-20mil的粗鋁線。鍵合過程中主要以壓力超聲鍵合方式為主。

球形鍵合與楔形鍵合的工序如圖7：

圖7 球形鍵合（a）與楔形鍵合（b）

Fig.7 Ball bonding (a) and wedge bonding (b)

兩種鍵合形式的區(qū)別在于球形鍵合在每次鍵合循環(huán)前會(huì)形成燒球，將燒球鍵合在焊盤上作為第一焊點(diǎn)；楔形鍵合則是引線在超聲能量與加壓下形成楔狀焊點(diǎn)鍵合在焊盤上，主要是第一焊點(diǎn)的形狀有所差異以及后續(xù)形成線弧的移動(dòng)方向有所差異^[17]。球形鍵合與楔形鍵合新年能比較如表3所示。

表3 球形鍵合與楔形鍵合優(yōu)缺點(diǎn)比較

Tab.3 Comparison of advantages and disadvantages of ball bonding and wedge bonding

3.2  鍵合材料特性與差異

鍵合工序中的鍵合材料主要有金、銅、鋁三種線材，其應(yīng)具備以下特點(diǎn)：化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、不易形成有害的金屬間化合物，不形成造成腐蝕的物質(zhì)；結(jié)合性好，能與半導(dǎo)體材料形成低電阻歐姆接觸；彈性好；引線材質(zhì)延展性好，易被加工成細(xì)絲，易于卷繞，并容易實(shí)現(xiàn)鍵合；表面平整干凈^[18]。表4對(duì)三種鍵合引線的物理參數(shù)進(jìn)行比較，通過其間的參數(shù)對(duì)比分析其應(yīng)用與可靠性問題。

表4 三種鍵合引線物理參數(shù)比較

Tab.4 Comparison of physical parameters of three bonding wires

從表格我們可以看出，金線的各方面參數(shù)較其它兩種材料更為優(yōu)秀，卻因?yàn)閮r(jià)格劣勢(shì)而不得不尋找替代品；雖然傳統(tǒng)的銅線相比于金線也有著很多劣勢(shì)：表面易氧化、存儲(chǔ)時(shí)間更短、硬度較高、可鍵合性能較差、長期可靠性比金線更差，但其在熱導(dǎo)率、電阻率以及價(jià)格上有著更高的優(yōu)勢(shì)，這使得銅線很有機(jī)會(huì)取代金線。硬度大與易氧化是銅線取代金線的兩大障礙，這嚴(yán)重影響封裝可靠性^[19]，但是只要克服了這些問題，在材料上面的成本將大大降低；對(duì)于鋁線來說，其材質(zhì)較軟，工藝簡(jiǎn)單，物理性質(zhì)優(yōu)越，價(jià)錢很低，被廣泛使用于各類電子器件中。

其中金線廣泛應(yīng)用于熱壓鍵合和熱壓超聲鍵合，其球焊速度快、可靠性高，滿足一般芯片的鍵合需求，適用于分立器件與普通IC。燒球是否牢固是金線球鍵合可靠性的重要指標(biāo)，通過試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)金線球焊在空氣中焊點(diǎn)圓度高，鋁線、銅線球焊由于表面氧化的影響，其加熱易氧化成一層硬的氧化膜阻礙球的形成，空氣中焊點(diǎn)圓度較差，因此，金線是最適合球焊的材料。

因?yàn)殇X在溫度高的情況下容易反應(yīng)形成相應(yīng)氧化物，嚴(yán)重破壞鍵合的穩(wěn)定性與牢固性，極易失效，而超聲鍵合的工作條件一般都是在室溫下，大概率降低失效發(fā)生，比較適合鋁線鍵合。鋁線主要應(yīng)用于IC、功率器件等。粗鋁線鍵合技術(shù)是一種大功率鍵合技術(shù)，由于其在鍵合過程中不與芯片上的鋁墊產(chǎn)生金屬間化合物，因此在某些精密儀器或高可靠流域中得到廣泛應(yīng)用。超聲鍵合適合鍵合對(duì)溫度要求嚴(yán)格的MOS器件、電子表芯、微波和高頻電子器件，同時(shí)也適合大功率器件陶瓷封裝的IC和混合電路的鍵合。

銅線相較于金線價(jià)格更低，因此在很多器件的焊線使用慢慢轉(zhuǎn)向銅線。另外，銅和鋁金屬間化合物擴(kuò)散速度遠(yuǎn)小于金和鋁，不容易造成失效情況的發(fā)生，這也是用銅線取代金線的一個(gè)重要原因。

3.3  鍵合引線的形狀對(duì)鍵合的影響

溫度變化時(shí)產(chǎn)生的熱應(yīng)力會(huì)根據(jù)鍵合引線的形狀有所不同，因此有相關(guān)研究提出通過優(yōu)化鍵合引線的形狀來提高鍵合的可靠性。

圖 8 楔形鍵合焊點(diǎn)形狀比較^[20]

Fig.8 Comparison of the solder joint shapes of wedge bonding

Arian Grams等人提出通過改變楔形焊點(diǎn)的結(jié)構(gòu)來提高鍵合可靠性，其利用激光對(duì)焊點(diǎn)進(jìn)行不同形式的切割，經(jīng)過一定時(shí)間的冷熱沖擊試驗(yàn)分別比較如圖8四種結(jié)構(gòu)的可靠性，試驗(yàn)表明形成獨(dú)立楔狀的D結(jié)構(gòu)可靠性相對(duì)于其它三種要更好。另外，Arian Grams對(duì)鍵合金屬線徑與鍵合可靠性之間的關(guān)系也有一定研究，其通過試驗(yàn)驗(yàn)證了在傳統(tǒng)封裝工藝流程中，線徑越大，造成失效的風(fēng)險(xiǎn)就越高^[19-20]。

圖 9 楔形焊點(diǎn)長寬比較^[21]

Fig.9 Comparison of the length and width of wedge bonding

飛思卡爾半導(dǎo)體有限公司的Huang Weidong研究楔形焊點(diǎn)的形狀對(duì)于焊點(diǎn)熱應(yīng)力的影響，如圖9所示。他通過改變焊點(diǎn)的長度和寬度，由仿真得到最大的應(yīng)力值，最后發(fā)現(xiàn)焊點(diǎn)長度最短的A結(jié)構(gòu)應(yīng)力值最大，所以他提出在楔形鍵合時(shí)要避免形成較短的焊點(diǎn)長度^[19,21]。

圖 10 鍵合線彎曲程度熱應(yīng)力比較^[22]

Fig.10 Thermal stress comparison of the bending degree of bonding wire

北京理工大學(xué)的ZHAO Jingyi通過電熱力耦合仿真比較了3種不同彎曲程度的鍵合線所產(chǎn)生的熱應(yīng)力的大小情況，如圖10所示。分析得出第二種拋物線形狀的鍵合線的最大Von-mises應(yīng)力值最小，即這種形狀的鍵合線的可靠性最高^[19,22]。

鍵合引線的形狀和長度對(duì)于它自身的可靠性來說十分重要，如果控制好其形狀能在一定程度上提高封裝可靠性。例如，拉得太緊的拱絲可能導(dǎo)致熱循環(huán)的失效；而在其他極端情況下，太大的拱絲可能導(dǎo)致引線彎曲和引線傾倒引起彼此短路。

引線高度和拱絲高度的定義稍微有些不同，引線高度是從芯片到拱絲形成過程中引線即將接觸劈刀的那個(gè)點(diǎn)的垂直距離，這個(gè)點(diǎn)比拱絲的頂部稍低?？偣敖z高度是從芯片的頂部到拱絲的頂部來計(jì)算的。圖11所示為引線高度和拱絲高度，不同封裝的一些典型的拱絲高度見表5。

圖11 引線高度和拱絲高度

Fig.11 Schematic diagram of lead height and arch wire height

表5 不同封裝形式的拱絲高度

Tab.5 The arch wire height of different packaging forms

影響引線鍵合成品率最重要的因素之一是引線拱絲的形成，即在球和楔鍵合之間引線拱絲的輪廓。在細(xì)間距鍵合工藝中，細(xì)且長的引線容易形成不合適的引線拱絲形狀，歪扭和塌陷。對(duì)于專用器件，一致性的拱絲參數(shù)控制和拱絲形狀的優(yōu)化是鍵合工程師須應(yīng)對(duì)的挑戰(zhàn)。如果拱絲高度太高，它可能導(dǎo)致引線塌陷、引線傾倒、接近第二鍵合點(diǎn)的角度偏陡以及與陶瓷封裝接觸。如果拱絲高度較低，它可能導(dǎo)致焊球頸部損傷、被伸展的引線可能在熱循環(huán)期間失效、引線接觸到芯片邊緣以及引線接觸到引腳框架邊緣。因此拱絲高度的控制對(duì)于改進(jìn)引線鍵合的成品率及封裝的可靠性是必須的。對(duì)拱絲高度或拱絲形狀有改變的需求時(shí)，可以根據(jù)封裝的要求，選擇合適的拱絲輪廓。如圖12所示，當(dāng)鍵合焊盤接近于芯片邊緣，而且引線拱絲長度較長時(shí)，采用標(biāo)準(zhǔn)的拱絲輪廓；當(dāng)鍵合焊盤不接近于芯片邊緣，而且拱絲長度較短時(shí)，采用的拱絲輪廓是一個(gè)處理過的拱絲輪廓。

圖12 不同的拱絲輪廓圖

Fig.12 Different arch wire outline drawings

3.4  鍵合引線的選用

產(chǎn)品的性質(zhì)決定了引線使用的尺寸。工作于高功率的產(chǎn)品采用的是粗線徑鋁引線，而引腳數(shù)目大且間距小的高頻器件則需要選擇線徑較小的金引線；導(dǎo)通電流較小的產(chǎn)品要求使用線徑小的金線或鋁線，而導(dǎo)通電流較大的產(chǎn)品只能使用粗鋁線。當(dāng)然，不同引線尺寸的使用也與芯片尺寸、封裝尺寸、焊盤尺寸以及引線框架的設(shè)計(jì)有聯(lián)系。

隨著引線鍵合技術(shù)的發(fā)展以及金線成本的增加，人們打算采用銅線取代金線，但由于銅線材質(zhì)較硬且其極易氧化的特性，需要在使用前對(duì)芯片材質(zhì)以及鍵合環(huán)境進(jìn)行考量，避免在銅線鍵合中出現(xiàn)彈坑以及氧化導(dǎo)致產(chǎn)品失效的情況，在這種情況下還是優(yōu)先選擇采用金線鍵合。

鍵合引線的使用取決于各種因素，但即使決定了引線的尺寸，也需要設(shè)備鍵合加工參數(shù)的配合，不僅是施加的壓力、超聲能量、熱量、鍵合時(shí)間等都需要與之匹配，否則引線質(zhì)量與鍵合質(zhì)量都不能得到保證。

（未完待續(xù)）

參考文獻(xiàn)

[1] CSIA.國務(wù)院關(guān)于印發(fā)新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的通知

[EB/OL].(2020-08-05)[2021-03-04].http://www.csia.net.cn/Article/ShowInfo.asp?InfoID=95726.

[2]晁宇晴, 楊兆建, 喬海靈. 引線鍵合技術(shù)進(jìn)展[J]. 電子工藝技術(shù), 2007, 28(004):205-210.

[3] 斯芳虎.LED金線鍵合工藝的質(zhì)量控制[J].電子質(zhì)量,2010(03):44-45+48.

[4] 楊陽.功率器件封裝鋁帶鍵合失效分析及工藝優(yōu)化[D].南京：東南大學(xué),2019.

[5] 李錕.集成電路銅引線鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)研究[J].信息技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)化,2020(11):56-60+66.

[6] 肖沛宏,付興銘,譚六喜,等.壓力傳感器引線鍵合金線的振動(dòng)疲勞研究[J].傳感器世界,2007(03):10-12.

[7] 賀玲,劉洪濤.引線鍵合的失效機(jī)理及分析[J].微處理機(jī),2017,38(06):17-20.

[8] 吳懿平.引線鍵合原理與工藝[J].環(huán)球SMT與封裝,2007,7(6):8-10.

[9] 羅玨,康敏,趙鶴然,等.金絲鍵合短尾問題分析及解決[J].微處理機(jī),2020,41(03):17-19.

[10] 王寧寧,何宗鵬,張振明,等.功率VDMOS器件粗鋁絲鍵合工藝研究[J].電子工藝技術(shù),2015,36(01):25-28.

[11] 廖雯,毛繁,但雪梅,等.一種瓦片式T/R的關(guān)鍵工藝分析[J].壓電與聲光,2018,40(03):323-325+330.

[12] 唐家霖,崔潔,柳青.鍵合引線懸空的引線鍵合工藝研究[J].電子工業(yè)專用設(shè)備,2016,45(08):5-8.

[13] 丁康偉. 半導(dǎo)體金線鍵合可靠性研究[D].北京：中國科學(xué)院大學(xué)（工程管理與信息技術(shù)學(xué)院）,2014.

[14] 余齋. 改善熱壓超聲球焊點(diǎn)鍵合強(qiáng)度的工藝研究[D].成都：西南交通大學(xué),2010.

[15] 沙帕拉·K·普拉薩德,劉亞強(qiáng)（譯）.復(fù)雜的引線鍵合互聯(lián)工藝[M].北京：中國宇航出版社,2015.9.

[16] 徐佳慧. 射頻器件超細(xì)引線鍵合工藝及性能研究[D].哈爾濱：哈爾濱工業(yè)大學(xué),2020.

[17] 呂磊.引線鍵合工藝介紹及質(zhì)量檢驗(yàn)[J].電子工業(yè)專用設(shè)備,2008(03):53-60.

[18] 侯育增. 功率外殼粗鋁絲鍵合可靠性工藝研究[D].南京：南京理工大學(xué),2013.

[19] 譚一帆. 基于新型層疊DBC混合封裝功率模塊的鍵合線可靠性研究[D].武漢：華中科技大學(xué),2019.

[20]A. GRAMS, C. EHRHARDT, J. JAESCHKE,et al.  "Simulation of the Lifetime of Wire Bonds Modified through Wedge Trenches for Higher Reliability," CIPS 2016; 9th International Conference on Integrated Power Electronics Systems, Nuremberg, Germany, 2016, pp. 1-4.

[21]W. HUANG, D. BAI AND A. LUO, "Stress simulation for 2N gold wires and evaluation on the stitch bond shapes," 2011 International Symposium on Advanced Packaging Materials (APM), Xiamen, 2011, pp. 134-140, doi: 10.1109/ISAPM.2011.6105722.

[22]J. ZHAO, F. QIN, T. AN, ,et al. "Electro-thermal and thermal-mechanical FE analysis of IGBT module with different bonding wire shape," 2017 18th International Conference on Electronic Packaging Technology (ICEPT), Harbin, 2017, pp. 548-551, doi: 10.1109/ICEPT.2017.8046514.

[23]段之剛. DFN1006新型引線鍵合設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D].成都：電子科技大學(xué),2017.

[24] 燕子鵬,秦文龍,賀從勇.BSOB鍵合工藝在厚膜基板引線互聯(lián)中的研究[J/OL].微電子學(xué):1-5[2021-01-19].

[25] 劉猛. 脈沖功率系統(tǒng)中IGBT模塊封裝的研究[D].成都：西南交通大學(xué),2017.