技術(shù)領(lǐng)域

        本發(fā)明關(guān)于一種LED 晶粒核心BIN產(chǎn)品整片抽測方式（各電性、光學(xué)特性檢驗），該系統(tǒng)中打破慣性思維的先翻膜后分片的抽測方法，采用先整片抽測晶圓后翻膜分片矩陣抽測的工藝方法。

背景技術(shù)

        在LED晶圓完成分類挑揀成為某一電性光學(xué)等級的成品后，會先使用點測設(shè)備對成品晶粒進行抽測，以便確保各晶粒的電性、光學(xué)特性是與分類挑選的要求一致，同時是保證產(chǎn)品出貨的品質(zhì)。

        然而，目前核心BIN產(chǎn)品現(xiàn)有的抽測檢驗實施方式是：先將核心BIN翻膜分片，再由點測設(shè)備對LED成品所有晶粒進行坐標(biāo)全掃描，最后進行矩陣抽測?，F(xiàn)我司核心BIN產(chǎn)品分為三片后抽測，所以一張4寸核心BIN產(chǎn)品要做三次全掃描+矩陣抽測（圖1），掃描時間和上下片時間耗時較長。

圖1

        而這種做3次全掃描+矩陣抽測的方式，掃描的時間占了機臺運行的大部分時間，而真正點測的時間實際很少，造成效率低下。因此，若能夠?qū)⒕Я呙璐螖?shù)變少，將上下片時間降到最低，同時亦可節(jié)省抽測機臺設(shè)備，即減少制造成本和人力成本，為最佳解決方案。

發(fā)明內(nèi)容

        本發(fā)明的目的即在于提供一種LED成品晶粒抽測的新方式，分選下機后整片抽測晶圓系統(tǒng)賦予各子片抽測信息，能夠?qū)⒊闇y掃描時間和上下片時間縮短。     
 

        本發(fā)明所提供的一種 LED成品電性參數(shù)抽測的運作方法，與變更前工藝方法更具優(yōu)勢：
       

        首先，所述的LED 晶粒核心BIN產(chǎn)品整片抽測方式，是全新的抽測方式，打破先分片翻膜后抽測的慣性思維，改進為在字母環(huán)上抽測后分片。

        其次，所述的LED晶粒核心BIN產(chǎn)品整片抽測方式，有效降低抽測掃描時間、上下片時間和同等產(chǎn)能下可節(jié)省設(shè)備臺數(shù)的優(yōu)勢，生產(chǎn)效率可大幅度提高；節(jié)約機臺&人員成本。

        最后，此工藝運作方法，LED 成品的抽測異常追訴準(zhǔn)確度大大提高，漏出率極低。

附圖說明

        為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

        圖2是本發(fā)明實施核心BIN產(chǎn)品整片抽測掃描和測試的顯示圖：

       如圖所示，本發(fā)明可實現(xiàn)整片掃描，矩陣電性測試，有效降低抽測上下片時間和掃描時間。

圖2